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已知电子的有效质量me=9.1×10
-31
kg,空穴的有效质量mh=3.8×10
-30
kg,GaAs单量子阱厚度d=8nm,GaAs量子阱带隙能量Eg1=1.424eV,求该LED在第一子能带态的发光波长。
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