设1μmCMOS工艺的参数为：栅氧化层厚度35nm，栅氧化层介电常数ε₀ε_ox为3.45x10^-13F/cm，电子迁移率500cm²/V.s空穴迁移率200cm²/V.s，阈值电压V_tn=-V_tp=0.8V晶体管最小栅宽3μm，电源电压3V，有两个反相器相连（栅长相等），前一级为最小尺寸，后一级宽长比为前一级的3倍，驱动的负载C_L=10fF，试求反相器链的延迟时间。