对颗粒涂布型磁存储材料，假定单畴退磁场能Ed与多畴结构的畴壁能Ew分别可以表示为 1）存在一个临界半径R0，

问答题

对颗粒涂布型磁存储材料，假定单畴退磁场能E_d与多畴结构的畴壁能E_w分别可以表示为

1）存在一个临界半径R₀，当颗粒半径R>R₀时，颗粒为多畴结构；当R0时，颗粒为单畴结构。
2）下图中M-D、S-D以及S-P三个不同颗粒直径范围内矫顽力_MH_c与颗粒直径d的关系

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