利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×12μm薄氧化层的正中间构成一个MOS管，已知Cox＝5×10-4

首页搜题

搜索

问答题

利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×12μm薄氧化层的正中间构成一个MOS管，已知C_ox＝5×10^-4pF/μm²，估算栅极电容。

试题标题

试题标题

欢迎来到赞题库！