半导体集成电路考试题库_半导体集成电路考试试题_在线考试中心_赞题库网

首页搜题

搜索

半导体集成电路

【判断题】二极管存在最高工作频率是因为PN 结有电容效应。

【判断题】二极管交流等效电路参数与其静态参数无关。

【判断题】若在直流电路中硅二极管导通，则其导通电压均可认为0.7V。

【判断题】理想二极管模型在直流电路分析中误差很大，因此不能使用。

【判断题】二极管只能通过直流电，不能通过交流电。

【判断题】普通二极管是由PN 结引出电极封装而成的。

【判断题】点接触型比面接触型二极管的结电容面积小，因此其最高工作频率低。

【单项选择题】关于PN 结的导电，下列叙述不正确的是：（）

【单项选择题】半导体获得广泛应用的原因是（）

【单项选择题】下列半导体材料热敏特性突出的是（）

【判断题】结电容是常量。

【判断题】 PN 结的单向导电性与外加电压频率无关。

【判断题】漂移运动方向是从N 区到P 区。

【判断题】在PN 结形成过程中，空穴的扩散运动方向是从P 区到N 区。

【判断题】在PN 结中，P 区的电势比N 区高。

【判断题】因电场作用所产生的运动称为扩散运动。

【判断题】与多数载流子相比，少数载流子的浓度受温度影响大。

【判断题】在P 型半导体中，空穴浓度大于自由电子浓度。

【判断题】本征半导体导电性能很差。

【判断题】自由电子是载流子，空穴不是。

【判断题】自由电子带负电，空穴带正电。

【判断题】纯净的半导体称为本征半导体。

【问答题】试说明硅工艺中常用掺杂杂质B，P，As的扩散特性。

【名词解释】发射区推进效应

【名词解释】 OED/ORD

【名词解释】薄层电阻

【问答题】试说明横向扩散以及横向扩散的主要影响。

【问答题】什么是扩散的相互作用？试举一例说明其对半导体器件的制造有何影...

【问答题】说明氧化气氛对扩散有何影响及原因？

【问答题】根据空位机制下的总扩散系数公式，给出本征硅，低浓度掺杂，N型...

【问答题】列出并解释替位杂质在硅中的三种主要扩散机制。

【问答题】试说明扩散工艺中常用的扩散掺杂方法，并说明当前实际工艺中使用...

【问答题】淀积扩散主要受哪些因素的控制？

【问答题】举例说明什么是同型掺杂和反型掺杂及各自的目的。

【问答题】试说明半导体制造中扩散工艺的主要目的。列出并解释实际扩散工艺...

【问答题】明两步扩散法的基本思想，及其每一步工艺的主要特点和目的。

【问答题】解释有限表面源扩散，列出有限表面源扩散的三种主要工艺参数，并...

【问答题】列出恒定表面源扩散的三种主要工艺参数，并说明其含义和主要影响因素。

【问答题】什么是恒定表面源扩散？其扩散形成的结深主要受哪些因素的影响？...

【问答题】解释扩散系数及其物理含义，并说明影响扩散系数的主要因素是什么...

试题标题

试题标题

欢迎来到赞题库！