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半导体测试技术

【单项选择题】有A和B两种单质晶体，我们知道A的晶格常数是5，带隙是1.2...

【单项选择题】 GaAs晶体是（）结构

【判断题】硅中常见的B掺杂和As掺杂都是深能级掺杂。

【判断题】半导体镀膜通常在真空中进行是为了减少杂质沉积的干扰。

【判断题】 PMOS的基底是p型半导体，所以叫PMOS。

【判断题】半导体中的价带空穴电流其实就是导带电子电流的一种等价说法。

【判断题】 AlAs的禁带宽度比GaAs大，晶格常数也更大。

【单项选择题】 MOSFET开关的基本工作原理是通过（）极电压来控制（）极和...

【单项选择题】当一个NPN型BJT工作在电流放大模式下时，其（）的pn结上...

【单项选择题】一般说的14nm工艺线指的是MOSFET中的（）达到了14nm量级

【判断题】平衡态下在pn结中p区和n区的费米能级是相等的。

【判断题】所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体。

【判断题】 MOS管是一种电流型半导体器件，BJT是一种电压型半导体器件。

【判断题】光电探测器的灵敏度主要取决于其禁带宽度大小。

【判断题】异质结是由至少两种不同禁带宽度的半导体相互接触而形成的。

【判断题】 XPS只能检测元素种类，无法标定元素含量。

【判断题】 AFM通常用来观测样品表面形貌。

【判断题】 TEM观测与SEM相同，对样品厚度没有要求。

【判断题】通常利用TEM观测的分辨率高于SEM。

【单项选择题】光刻技术中的反刻工艺，通常应用于（）的情况。

【单项选择题】在CMOS工艺中，最为昂贵的步骤是：（）

【判断题】提高光刻最小线宽可以通过提升介质的介电常数实现。

【判断题】 MBE只能用于III-V族化合物的生长。

【名词解释】等离子体

【名词解释】激活剂

【名词解释】猝灭剂

【名词解释】敏化剂

【名词解释】阴极射线致发光

【名词解释】本征吸收

【名词解释】磁滞回线

【名词解释】光生伏特效应

【名词解释】非本征光电导

【名词解释】本征光电导

【名词解释】光生伏特效应

【名词解释】光电导效应

【名词解释】内光电效应

【名词解释】外光电效应

【名词解释】热释电效应

【名词解释】热电效应

【名词解释】压电效应

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