集成电路版图考试题库_集成电路版图考试试题_在线考试中心

【单项选择题】一个四输入的或非门，一般采用几个pitch？（）

【单项选择题】反相器的版图一般用到几个pitch？（）

【单项选择题】薄栅管ESD保护结构的ESD保护能力通常为多少？（）

【单项选择题】电源线和地线一般用什么图层来画？（）

【单项选择题】为了后续连接方便，信号端一般用什么图层引出?（）

【单项选择题】版图绘制时一般用哪个图层来实现器件连接？（）

【单项选择题】版图绘制应该在哪个视图中进行？（）

【单项选择题】如果想在电路图模式下编辑符号，可以选择以下哪个命令？（）

【单项选择题】关于电路的层次，自下向上顺序正确的是（）。

【单项选择题】展现电路的逻辑电路连接的是哪种视图模式?（）

【单项选择题】用四端器件绘制电路图时，NMOS管和PMOS管的衬底连接正确...

【单项选择题】在组合电路中，NMOS管串联实现的是什么逻辑？（）

【多项选择题】 MOS管版图一般匹配原则有（）。

【多项选择题】集成电路版图物理验证必须要做的步骤主要有哪些？（）

【单项选择题】集成电路再分析软件其处理的主要对象是（）。

【单项选择题】摩尔定律中每一代集成电路上晶体管密度翻倍值是多少？（）

【判断题】无论是施加正偏压还是反偏压，MOS电容都是一种线性电容。

【判断题】 MOS结构指的是金属氧化物半导体结构的简称。

【多项选择题】外延双阱工艺的优点包括（）。

【多项选择题】 CMOS制作时，常常用作钝化层的材料是（）。

【多项选择题】集成电路的制造工艺，需要采用隔离技术，常见的隔离方法有（）。

【单项选择题】 CMOS工艺中，将PMOS和NMOS的栅进行局部互连的材料是（）。

【单项选择题】为了实现全局平坦化，在集成电路中，经常采用（）工艺。

【单项选择题】以下工艺中，方块电阻是一个重要的参数，一般用于衡量（）工艺中...

【单项选择题】在制作MOS管时，采用LOCOS工艺容易出现（）。

【单项选择题】光刻时，将掩模版直接放在晶圆表面，与表面的光刻胶接触，该种光...

【单项选择题】源漏注入之后，必须进行（）工艺，修复晶格损伤，激活杂质。

【单项选择题】未进行掺杂的二氧化硅薄膜，通常简写为（）。

【单项选择题】我们利用LOCOS技术制作MOS中的（）。

【单项选择题】显影后，被曝光区域的光刻胶被去除，该种光刻胶称为（）。

【单项选择题】 MOS晶体管的源区、漏区及源、漏之间的沟道区域通常称为（）。

【单项选择题】氧化层中掺杂了硼杂质，一般称为（）。

【单项选择题】如果制作栅氧结构，一般采用的方法是（）。

【判断题】 CMOS电路是通过有源区进行隔离的，属于绝缘介质隔离。

【判断题】 STI技术相比LOCOS工艺，占地面积更小，而且不会产生鸟嘴效应。

【判断题】光刻时，必须将硅片与掩模版进行对准，不同的掩模版之间也要对准...

【判断题】形成接触孔之前，需要先淀积一层PSG或BPSG材料，然后再该...

【判断题】 CMOS是由PMOS和NMOS构成，制作时可以是P阱结构，还...

【判断题】 MOS管的制作一般经过阱区制作、有源区光刻、栅氧淀积、栅的淀...

【判断题】当掩模版上的图形转移到下方薄膜材料上时，必须要考虑到光刻胶的...

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