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【问答题】画出用多米诺逻辑实现X=AB+C，Y=XD的电路图，并根据图...

【问答题】 2级反相器中管子的栅长和栅宽均为4μm，Cox=1fF/μm...

【问答题】求图中电路从A到B的电容值，已知面电容值（fF/μm2）分别...

【问答题】写出图1和图2电路的逻辑表达式OUT=f（A，B，C，D），...

【问答题】画出图中版图的电路原理图。

【问答题】根据下面的版图，求A到B的总电容，已知某工艺的典型面电容值为...

【问答题】一个采用10个CMOS反相器的系统工作在30MHz和5V电源...

【问答题】试画出下图版图的电路原理图。

【问答题】试写出图中W、X、Y、Z的逻辑表达式。

【问答题】试写出图中F1和F2的逻辑表达式。

【问答题】画出下列版图的电路原理图。

【问答题】试画出用预充电逻辑实现的电路原理图的电路图，并画出在一个...

【问答题】试画出下列版图的电路原理图

【问答题】设1μmCMOS工艺的参数为：栅氧化层厚度35nm，栅氧化层...

【问答题】画出用多米诺逻辑实现X=AB+C，Y=XD的电路图，并根据下...

【问答题】下图是一个电路的部分版图，求A到B的总电容，已知某工艺的典型...

【问答题】在下图中，分别给出测试1/1、3/1、4/0错误的测试向量。"

【问答题】在下图中，利用NMOS管实现A与B的同或函数。

【问答题】试用Weinberger阵列结构实现下列逻辑表达式：

【问答题】用预充电逻辑设计画出电路图。若电路内部结点电容C=5fF...

【问答题】试用两输入LUT单元实现逻辑式：Z=AB+CD

【问答题】试用多米诺方法实现下列逻辑方程：R=AB+BC+AC

【问答题】画出图中版图的电路原理图。

【问答题】画出图中版图的电路原理图。

【问答题】某CMOS微处理器有40万支晶体管，工作在20MHz频率下，...

【问答题】用两级放大反相器驱动负载的延迟时间。

【问答题】用优化设计的逐级放大反相器链驱动负载的延迟时间tcas，并给...

【问答题】用标准反相器直接驱动负载的延迟时间tdir。

【问答题】四级反相器逐级相联，第一级为标准尺寸CMOS反相器，若后一级...

【问答题】已知试计算两输入与非门，两输入或非门和CMOS反相器的门...

【问答题】假设k丶N=2k丶p，试比较最坏工作情况下具有对称驱动能力的...

【问答题】对于的三输入CMOS与非门，试计算最坏情况下的上升时间和下降...

【问答题】若该CMOS反相器的输出端接了一个60fF的电容，在20MH...

【问答题】若反相器的输出端接有4个相同尺寸的反相器，问该反相器的门延迟...

【问答题】 CMOS反相器的负载为相同尺寸的反相器时，反相器的门延迟时间...

【问答题】 P管几何尺寸为多少才能获得与N管相同的增益因子。

【问答题】试求最小尺寸NMOS管的栅电容和增益因子βn。

【问答题】利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×14μm的薄氧化...

【问答题】计算该材料的方块电阻值。

【问答题】若使用方块电阻的概念，计算该材料电阻的公式是什么？

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